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ON Semiconductor FQA6N90

Número da peça MFG
FQA6N90
Quantidade disponível
50600 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
QFET® MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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FQA6N90 Especificações

Número da peça de fabricante FQA6N90
Número da peça futura FT-FQA6N90
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series QFET®
FQA6N90 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 6.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 198W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-3P
Pacote / caso TO-3P-3, SC-65-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQA6N90 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FQA6N90-FT

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