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ON Semiconductor FQA10N80C-F109

Name: FQA10N80C-F109
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQA10N80C-F109
Price: 3.216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (457 reviews)

Número da peça MFG: FQA10N80C-F109

Quantidade disponível: 31290 Peças

Preço de referência: USD 3.216

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQA10N80C-F109.pdf

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FQA10N80C-F109 Especificações

Número da peça de fabricante	FQA10N80C-F109
Número da peça futura	FT-FQA10N80C-F109
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQA10N80C-F109 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	240W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3P
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQA10N80C-F109 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQA10N80C-F109-FT

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