casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCA35N60
Número da peça de fabricante | FCA35N60 |
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Número da peça futura | FT-FCA35N60 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperFET™ |
FCA35N60 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 312.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PN |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCA35N60 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCA35N60-FT |
2SK3484-AZ
Renesas Electronics America
2SK3483-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813-AZ
Renesas Electronics America
RJK6002DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK6032DPH-E0#T2
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RJK03M1DPA-00#J5A
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RJK1575DPA-00#J5A
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RJK1576DPA-00#J5A
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RJK2076DPA-00#J5A
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RJK0353DPA-WS#J0B
Renesas Electronics America
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel