casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJNS3211RBU
Número da peça de fabricante | FJNS3211RBU |
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Número da peça futura | FT-FJNS3211RBU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJNS3211RBU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92S |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3211RBU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJNS3211RBU-FT |
PDTC123JT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU025-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F40I1SG
Intel
5AGXFB3H4F35I3G
Intel
EP3SL70F780C3N
Intel
5SGXMA3H3F35I3N
Intel