casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTC123JT,235
Número da peça de fabricante | PDTC123JT,235 |
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Número da peça futura | FT-PDTC123JT,235 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDTC123JT,235 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC123JT,235 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTC123JT,235-FT |
DDTC114ELP-7
Diodes Incorporated
DDTA114YLP-7
Diodes Incorporated
DDTC144ELP-7
Diodes Incorporated
DDTC123JLP-7
Diodes Incorporated
DTC114EBT2L
Rohm Semiconductor
PDTA114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114YEF,115
NXP USA Inc.
XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel