casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTC143ET,215
Número da peça de fabricante | PDTC143ET,215 |
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Número da peça futura | FT-PDTC143ET,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDTC143ET,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC143ET,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTC143ET,215-FT |
DTC114EBT2L
Rohm Semiconductor
PDTA114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114YEF,115
NXP USA Inc.
PDTC115EEF,115
NXP USA Inc.
PDTC123EEF,115
NXP USA Inc.
PDTC143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTC143XEF,115
NXP USA Inc.