casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R12ME4EB11BOSA1
Número da peça de fabricante | FF600R12ME4EB11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF600R12ME4EB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF600R12ME4EB11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 995A |
Potência - Max | 4050W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4EB11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF600R12ME4EB11BOSA1-FT |
MWI75-12T8T
IXYS
MWI80-12T6K
IXYS
VS-40MT120UHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
FP10R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FZ1200R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
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XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
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AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel