casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R12ME4EB11BOSA1
Número da peça de fabricante | FF600R12ME4EB11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF600R12ME4EB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF600R12ME4EB11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 995A |
Potência - Max | 4050W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4EB11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF600R12ME4EB11BOSA1-FT |
MWI75-12T8T
IXYS
MWI80-12T6K
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VS-40MT120UHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
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FZ1800R17HE4B9HOSA2
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FZ2400R12HP4B9HOSA2
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FZ2400R12HP4HOSA2
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FZ2400R17HP4B9HOSA2
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LCMXO2-640HC-6SG48I
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XC7A75T-3FGG484E
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M2GL025-1VFG400I
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