casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDY1002PZ
Número da peça de fabricante | FDY1002PZ |
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Número da peça futura | FT-FDY1002PZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDY1002PZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 830mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 830mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 135pF @ 10V |
Potência - Max | 446mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563F |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDY1002PZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDY1002PZ-FT |
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
IRF5851
Infineon Technologies
IRF5851TR
Infineon Technologies
IRF5851TRPBF
Infineon Technologies
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation