casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDPF190N15A
Número da peça de fabricante | FDPF190N15A |
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Número da peça futura | FT-FDPF190N15A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDPF190N15A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 27.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 27.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2685pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 33W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF190N15A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDPF190N15A-FT |
GP2M004A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M007A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060H
Global Power Technologies Group
GP2M010A065H
Global Power Technologies Group
GP2M012A060H
Global Power Technologies Group
GP2M020A050H
Global Power Technologies Group
GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel