casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP036N10A
Número da peça de fabricante | FDP036N10A |
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Número da peça futura | FT-FDP036N10A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDP036N10A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7295pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 333W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP036N10A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDP036N10A-FT |
GA50JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10SICP12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA100JT17-227
GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GeneSiC Semiconductor
GA05JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA05JT01-46
GeneSiC Semiconductor
GA05JT03-46
GeneSiC Semiconductor
2N7635-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7637-GA
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel