casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMS86350ET80
Número da peça de fabricante | FDMS86350ET80 |
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Número da peça futura | FT-FDMS86350ET80 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDMS86350ET80 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta), 198A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8030pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Power56 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS86350ET80 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMS86350ET80-FT |
FQL50N40
ON Semiconductor
HUF75639S3
ON Semiconductor
FQI5N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N60TU
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FQI13N50CTU
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FDI150N10
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FQI10N20CTU
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
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EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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