casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDI150N10
Número da peça de fabricante | FDI150N10 |
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Número da peça futura | FT-FDI150N10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDI150N10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 49A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4760pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI150N10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDI150N10-FT |
IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS87H6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS225H6327FTSA1
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BSS606NH6327XTSA1
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BSS192PE6327
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BSS192PE6327T
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BSS192PH6327XTSA1
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BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies