casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI7N80TU
Número da peça de fabricante | FQI7N80TU |
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Número da peça futura | FT-FQI7N80TU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQI7N80TU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI7N80TU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQI7N80TU-FT |
IPZ60R125P6FKSA1
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IPZ65R019C7XKSA1
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BSS192PH6327FTSA1
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BSS87H6327FTSA1
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BSS606NH6327XTSA1
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BSS192PE6327
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BSS192PE6327T
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XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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XC6VLX195T-3FFG784C
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5CGXFC4C7U19C8N
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