casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMC8884-F126
Número da peça de fabricante | FDMC8884-F126 |
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Número da peça futura | FT-FDMC8884-F126 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDMC8884-F126 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 15A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.3W (Ta), 18W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC8884-F126 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMC8884-F126-FT |
FQI10N60CTU
ON Semiconductor
FQI11P06TU
ON Semiconductor
FQI12N50TU
ON Semiconductor
FQI12N60CTU
ON Semiconductor
FQI12N60TU
ON Semiconductor
FQI13N06LTU
ON Semiconductor
FQI13N06TU
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FQI15P12TU
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FQI16N25CTU
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FQI17N08LTU
ON Semiconductor
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
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EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
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