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ON Semiconductor FQI13N06LTU

Número da peça MFG
FQI13N06LTU
Quantidade disponível
37520 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
QFET® MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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FQI13N06LTU Especificações

Número da peça de fabricante FQI13N06LTU
Número da peça futura FT-FQI13N06LTU
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series QFET®
FQI13N06LTU Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 13.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor I2PAK (TO-262)
Pacote / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI13N06LTU Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FQI13N06LTU-FT

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