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ON Semiconductor FQI13N06LTU

Name: FQI13N06LTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI13N06LTU
Availability: InStock
Rating: 4.8 (205 reviews)

Número da peça MFG: FQI13N06LTU

Quantidade disponível: 37520 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQI13N06LTU.pdf

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FQI13N06LTU Especificações

Número da peça de fabricante	FQI13N06LTU
Número da peça futura	FT-FQI13N06LTU
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQI13N06LTU Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I2PAK (TO-262)
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI13N06LTU Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQI13N06LTU-FT

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