casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI13N06LTU
Número da peça de fabricante | FQI13N06LTU |
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Número da peça futura | FT-FQI13N06LTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQI13N06LTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI13N06LTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQI13N06LTU-FT |
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS225
Infineon Technologies
BSS225H6327XTSA1
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BSS225L6327HTSA1
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BSS87 E6433
Infineon Technologies
BSS87E6327
Infineon Technologies
BSS87E6327T
Infineon Technologies
BSS87H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies
IRF7480MTRPBF
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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