casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI16N25CTU
Número da peça de fabricante | FQI16N25CTU |
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Número da peça futura | FT-FQI16N25CTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQI16N25CTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 15.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 53.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 139W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI16N25CTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQI16N25CTU-FT |
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS87 E6433
Infineon Technologies
BSS87E6327
Infineon Technologies
BSS87E6327T
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BSS87H6327XTSA1
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BSS87L6327HTSA1
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IRF7480MTRPBF
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IRF60DM206
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IRF7580MTRPBF
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IRF7780MTRPBF
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
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M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel