casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMC8878_F126
Número da peça de fabricante | FDMC8878_F126 |
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Número da peça futura | FT-FDMC8878_F126 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDMC8878_F126 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 31W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC8878_F126 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMC8878_F126-FT |
FQI11P06TU
ON Semiconductor
FQI12N50TU
ON Semiconductor
FQI12N60CTU
ON Semiconductor
FQI12N60TU
ON Semiconductor
FQI13N06LTU
ON Semiconductor
FQI13N06TU
ON Semiconductor
FQI15P12TU
ON Semiconductor
FQI16N25CTU
ON Semiconductor
FQI17N08LTU
ON Semiconductor
FQI17N08TU
ON Semiconductor
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel