casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDG6321C-F169
Número da peça de fabricante | FDG6321C-F169 |
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Número da peça futura | FT-FDG6321C-F169 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDG6321C-F169 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta), 410mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V, 62pF @ 10V |
Potência - Max | 300mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6321C-F169 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDG6321C-F169-FT |
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
APTM100H80FT1G
Microsemi Corporation
APTM100TA35SCTPG
Microsemi Corporation
APTM100VDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM10DDAM09T3G
Microsemi Corporation
APTM10DDAM19T3G
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484I7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1926C
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4
Intel