casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDG6321C-F169
Número da peça de fabricante | FDG6321C-F169 |
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Número da peça futura | FT-FDG6321C-F169 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDG6321C-F169 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta), 410mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V, 62pF @ 10V |
Potência - Max | 300mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6321C-F169 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDG6321C-F169-FT |
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
APTM100H80FT1G
Microsemi Corporation
APTM100TA35SCTPG
Microsemi Corporation
APTM100VDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM10DDAM09T3G
Microsemi Corporation
APTM10DDAM19T3G
Microsemi Corporation
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F256C7N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4N
Intel
EPF10K70RC240-4N
Intel