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Microsemi Corporation APTM100DDA35T3G

Número da peça MFG
APTM100DDA35T3G
Quantidade disponível
27630 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
- MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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APTM100DDA35T3G Especificações

Número da peça de fabricante APTM100DDA35T3G
Número da peça futura FT-APTM100DDA35T3G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
APTM100DDA35T3G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Potência - Max 390W
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SP3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DDA35T3G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APTM100DDA35T3G-FT

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