casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / APTM100VDA35T3G
Número da peça de fabricante | APTM100VDA35T3G |
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Número da peça futura | FT-APTM100VDA35T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APTM100VDA35T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V (1kV) |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Potência - Max | 390W |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100VDA35T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTM100VDA35T3G-FT |
APTSM120TAM33CTPAG
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