casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDG6301N
Número da peça de fabricante | FDG6301N |
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Número da peça futura | FT-FDG6301N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FDG6301N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 220mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Potência - Max | 300mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88 (SC-70-6) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6301N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDG6301N-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
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DMC2038LVTQ-7
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IRF5810
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IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
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IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
A1020B-1PQ100I
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A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5AGZME7K2F40C3N
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5SGXEB6R2F43I3L
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XC4036XL-2HQ208C
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XC7K480T-2FFG1156C
Xilinx Inc.