casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDBL86363-F085
Número da peça de fabricante | FDBL86363-F085 |
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Número da peça futura | FT-FDBL86363-F085 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDBL86363-F085 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 240A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 357W (Tj) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-HPSOF |
Pacote / caso | 8-PowerSFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL86363-F085 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDBL86363-F085-FT |
FQD10N20LTM
ON Semiconductor
FQD17N08LTM
ON Semiconductor
FQD10N20LTF
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FQD17N08LTF
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FDP8N50NZ
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FDP7N60NZ
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FDP12N60NZ
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M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel