casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDBL86361-F085
Número da peça de fabricante | FDBL86361-F085 |
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Número da peça futura | FT-FDBL86361-F085 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDBL86361-F085 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 188nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 429W (Tj) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-HPSOF |
Pacote / caso | 8-PowerSFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL86361-F085 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDBL86361-F085-FT |
FQI9N50CTU
ON Semiconductor
FQI9N50TU
ON Semiconductor
FQD10N20LTM
ON Semiconductor
FQD17N08LTM
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FQD10N20LTF
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FQD17N08LTF
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FDP054N10
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FDP036N10A
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FDP8N50NZ
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FDP12N50NZ
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XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
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EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel