casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH041N60F-F085
Número da peça de fabricante | FCH041N60F-F085 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FCH041N60F-F085 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
FCH041N60F-F085 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 347nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10900pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 595W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH041N60F-F085 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCH041N60F-F085-FT |
GP2M011A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M012A080NG
Global Power Technologies Group
GP2M020A050N
Global Power Technologies Group
GP2M020A060N
Global Power Technologies Group
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel