casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES1B-M3/5AT
Número da peça de fabricante | ES1B-M3/5AT |
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Número da peça futura | FT-ES1B-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1B-M3/5AT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1B-M3/5AT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1B-M3/5AT-FT |
BYG10Y-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel