casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG20J-M3/TR3
Número da peça de fabricante | BYG20J-M3/TR3 |
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Número da peça futura | FT-BYG20J-M3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG20J-M3/TR3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20J-M3/TR3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG20J-M3/TR3-FT |
S1JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel