casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG20G-M3/TR

| Número da peça de fabricante | BYG20G-M3/TR |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BYG20G-M3/TR |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| BYG20G-M3/TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Avalanche |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 400V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BYG20G-M3/TR Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BYG20G-M3/TR-FT |

BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

ES1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS14-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SSA34-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

US1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.

APA600-PQG208I
Microsemi Corporation

EP1S10F484C5N
Intel

EP1S10F484C6
Intel

A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation

LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U3F45I2LG
Intel

5CGXFC4C6M13C7N
Intel

EP3C55F780C7
Intel