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EPC EPC2105ENG

Número da peça MFG
EPC2105ENG
Quantidade disponível
42990 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
EPC
Descrição breve
eGaN® GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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EPC2105ENG Especificações

Número da peça de fabricante EPC2105ENG
Número da peça futura FT-EPC2105ENG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series eGaN®
EPC2105ENG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V
Potência - Max -
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Die
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2105ENG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição EPC2105ENG-FT

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