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EPC EPC2010C
- Número da peça MFG
- EPC2010C
- Quantidade disponível
- 16180 Peças
- Preço de referência
- USD 2.988
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- EPC
- Descrição breve
- eGaN® GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- EPC2010C.pdf
EPC2010C Especificações
| Número da peça de fabricante | EPC2010C |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-EPC2010C |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | eGaN® |
| EPC2010C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 12A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | +6V, -4V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die Outline (7-Solder Bar) |
| Pacote / caso | Die |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EPC2010C Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | EPC2010C-FT |
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