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EPC EPC2010C

Name: EPC2010C
Brand: EPC
SKU: EPC2010C
Price: 2.988 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (119 reviews)

Número da peça MFG: EPC2010C

Quantidade disponível: 16180 Peças

Preço de referência: USD 2.988

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: EPC

Descrição breve: eGaN® GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: EPC2010C.pdf

EPC2010C Especificações

Número da peça de fabricante	EPC2010C
Número da peça futura	FT-EPC2010C
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	eGaN®
EPC2010C Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	5.3nC @ 5V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Die Outline (7-Solder Bar)
Pacote / caso	Die
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2010C Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	EPC2010C-FT

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