casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD4T2R
Número da peça de fabricante | EMD4T2R |
---|---|
Número da peça futura | FT-EMD4T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD4T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD4T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD4T2R-FT |
RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4985,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel