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Número da peça de fabricante | ELL-8UV2R0N |
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Número da peça futura | FT-ELL-8UV2R0N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ELL-8UV |
ELL-8UV2R0N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 5.1mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 8.7 Ohm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.256" (6.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-8UV2R0N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-8UV2R0N-FT |
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XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
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5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel