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Número da peça de fabricante | ELL-8UV101M |
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Número da peça futura | FT-ELL-8UV101M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ELL-8UV |
ELL-8UV101M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 100µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 0.82mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 160 Ohm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.256" (6.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-8UV101M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-8UV101M-FT |
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
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XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
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