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Número da peça de fabricante | ELL-CTV8R2N |
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Número da peça futura | FT-ELL-CTV8R2N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | V |
ELL-CTV8R2N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 4.4A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 15 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV8R2N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-CTV8R2N-FT |
ELL-4GM6R8N
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AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel