casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

| Número da peça de fabricante | EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Tamanho da memória | 4Gb (128M x 32) |
| Freqüência do relógio | 533MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D-FT |

MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.

MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron Technology Inc.

A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation

LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.

XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.

XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.

5CEBA9F27C7N
Intel

5SGXEA5H1F35I2N
Intel

LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

5AGXMA3D4F31I3G
Intel

EPF10K30AQC208-1N
Intel