casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Número da peça de fabricante | MT53B512M32D2DS-062 AAT:C |
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Número da peça futura | FT-MT53B512M32D2DS-062 AAT:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (512M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B512M32D2DS-062 AAT:C-FT |
MT44K32M36RB-093E:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M36RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M36RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M36RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation