casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Número da peça de fabricante | MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (512M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR-FT |
MT44K32M36RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-083F:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K64M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel