casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / EC3H02BA-TL-H
Número da peça de fabricante | EC3H02BA-TL-H |
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Número da peça futura | FT-EC3H02BA-TL-H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EC3H02BA-TL-H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 10V |
Freqüência - Transição | 7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
Ganho | 8.5dB |
Potência - Max | 100mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 20mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XFDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-ECSP1006 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EC3H02BA-TL-H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EC3H02BA-TL-H-FT |
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C4
Intel
EP4SGX110HF35C3
Intel