casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MT3S113P(TE12L,F)
Número da peça de fabricante | MT3S113P(TE12L,F) |
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Número da peça futura | FT-MT3S113P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT3S113P(TE12L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.3V |
Freqüência - Transição | 7.7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Ganho | 10.5dB |
Potência - Max | 1.6W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PW-MINI |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S113P(TE12L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT3S113P(TE12L,F)-FT |
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
BFR 193W E6327
Infineon Technologies
BFR 92W E6327
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1X
Intel
A54SX08A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2SG
Intel
5SGXEA4H2F35I2LN
Intel
XC5VLX110-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C4
Intel
EPF10K50VQC240-3AA
Intel