casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MT3S113P(TE12L,F)
Número da peça de fabricante | MT3S113P(TE12L,F) |
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Número da peça futura | FT-MT3S113P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT3S113P(TE12L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.3V |
Freqüência - Transição | 7.7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Ganho | 10.5dB |
Potência - Max | 1.6W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PW-MINI |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S113P(TE12L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT3S113P(TE12L,F)-FT |
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
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BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
BFR 193W E6327
Infineon Technologies
BFR 92W E6327
Infineon Technologies
XC2VP70-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA600-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3FTN256C
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XC7A15T-L1CPG236I
Xilinx Inc.
LFXP3C-3QN208C
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LFXP2-8E-7QN208C
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LCMXO2-4000ZE-2FG484I
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LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALI84-4
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EP1C12F324C8N
Intel