casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MT3S113P(TE12L,F)
Número da peça de fabricante | MT3S113P(TE12L,F) |
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Número da peça futura | FT-MT3S113P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT3S113P(TE12L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.3V |
Freqüência - Transição | 7.7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Ganho | 10.5dB |
Potência - Max | 1.6W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PW-MINI |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S113P(TE12L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT3S113P(TE12L,F)-FT |
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
BFR 193W E6327
Infineon Technologies
BFR 92W E6327
Infineon Technologies
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I2
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
5SGXEA3H2F35C2L
Intel