casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

Name: HN3C10FUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN3C10FUTE85LF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

Número da peça MFG: HN3C10FUTE85LF

Quantidade disponível: 18040 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - Bipolar (BJT) - RF

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: HN3C10FUTE85LF.pdf

HN3C10FUTE85LF Especificações

Número da peça de fabricante	HN3C10FUTE85LF
Número da peça futura	FT-HN3C10FUTE85LF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
HN3C10FUTE85LF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo de transistor	2 NPN (Dual)
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	12V
Freqüência - Transição	7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Ganho	11.5dB
Potência - Max	200mW
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	80mA
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	US6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN3C10FUTE85LF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	HN3C10FUTE85LF-FT

Como pedir?

Pedido de cotação - Confirmar preço - Pedido - Pagamento - Remessa - Concluído

Métodos de Envio

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Cálculo do frete: entre em contato conosco