casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTD513ZMT2L
Número da peça de fabricante | DTD513ZMT2L |
---|---|
Número da peça futura | FT-DTD513ZMT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTD513ZMT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 260MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD513ZMT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTD513ZMT2L-FT |
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage