casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN2107ACT(TPL3)
Número da peça de fabricante | RN2107ACT(TPL3) |
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Número da peça futura | FT-RN2107ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN2107ACT(TPL3) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CST3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2107ACT(TPL3) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN2107ACT(TPL3)-FT |
RN1111,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1115,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2115,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2116,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
LFX125EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel