casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN2104ACT(TPL3)
Número da peça de fabricante | RN2104ACT(TPL3) |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN2104ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN2104ACT(TPL3) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CST3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2104ACT(TPL3) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN2104ACT(TPL3)-FT |
RN1103,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1115,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel