casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN3009SFGQ-7
Número da peça de fabricante | DMN3009SFGQ-7 |
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Número da peça futura | FT-DMN3009SFGQ-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DMN3009SFGQ-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2nF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 900mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerDI3333-8 |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3009SFGQ-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN3009SFGQ-7-FT |
DMN3016LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2066UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN10H170SFDE-13
Diodes Incorporated
DMN2011UFDE-13
Diodes Incorporated
DMN3016LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDE-7
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel