casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN30H4D0LFDE-7
Número da peça de fabricante | DMN30H4D0LFDE-7 |
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Número da peça futura | FT-DMN30H4D0LFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMN30H4D0LFDE-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 550mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 187.3pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 630mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN30H4D0LFDE-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN30H4D0LFDE-7-FT |
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H014LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
ZXMN2A02N8TA
Diodes Incorporated
DMN4025LSD-13
Diodes Incorporated
DMG4407SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4413LSS-13
Diodes Incorporated
DMG4466SSSL-13
Diodes Incorporated
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel