casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2011UFDE-7
Número da peça de fabricante | DMN2011UFDE-7 |
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Número da peça futura | FT-DMN2011UFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMN2011UFDE-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2248pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 610mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2011UFDE-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMN2011UFDE-7-FT |
DMS3016SSSA-13
Diodes Incorporated
DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4712SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4812SSS-13
Diodes Incorporated
DMN3016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H014LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation