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Diodes Incorporated DMT10H014LSS-13

Name: DMT10H014LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H014LSS-13
Price: 0.47328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (778 reviews)

Número da peça MFG: DMT10H014LSS-13

Quantidade disponível: 25520 Peças

Preço de referência: USD 0.47328

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fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMT10H014LSS-13.pdf

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DMT10H014LSS-13 Especificações

Número da peça de fabricante	DMT10H014LSS-13
Número da peça futura	FT-DMT10H014LSS-13
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
DMT10H014LSS-13 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H014LSS-13 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMT10H014LSS-13-FT

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