casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMG4812SSS-13
Número da peça de fabricante | DMG4812SSS-13 |
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Número da peça futura | FT-DMG4812SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DMG4812SSS-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 10.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1849pF @ 15V |
Recurso FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.54W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG4812SSS-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DMG4812SSS-13-FT |
DMN3009SK3-13
Diodes Incorporated
DMN3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMN3016LK3-13
Diodes Incorporated
DMN6017SK3-13
Diodes Incorporated
DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SK3-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
DMP45H4D9HK3-13
Diodes Incorporated
DMP6185SK3-13
Diodes Incorporated
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel