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Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3

Name: DMJ70H900HJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMJ70H900HJ3
Price: 1.15808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (151 reviews)

Número da peça MFG: DMJ70H900HJ3

Quantidade disponível: 32510 Peças

Preço de referência: USD 1.15808

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Diodes Incorporated

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: DMJ70H900HJ3.pdf

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DMJ70H900HJ3 Especificações

Número da peça de fabricante	DMJ70H900HJ3
Número da peça futura	FT-DMJ70H900HJ3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
DMJ70H900HJ3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18.4nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	603pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	68W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-251
Pacote / caso	TO-251-3, IPak, Short Leads
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H900HJ3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	DMJ70H900HJ3-FT

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