casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / 1269AS-H-4R7M=P2
Número da peça de fabricante | 1269AS-H-4R7M=P2 |
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Número da peça futura | FT-1269AS-H-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252010C |
1269AS-H-4R7M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1269AS-H-4R7M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1269AS-H-4R7M=P2-FT |
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0C02D
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LQG15WZ2N0S02D
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LQG15WZ2N2C02D
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LQG15WZ2N2S02D
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LQG15WZ2N4C02D
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LQG15WZ2N4S02D
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LQG15WZ2N7C02D
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LQG15WZ3N0C02D
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EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel