casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252012P-2R2M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252012P-2R2M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE252012P-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252012P |
DFE252012P-2R2M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 84 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012P-2R2M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252012P-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ1N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
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LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
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LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
AT6010A-2AU
Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-4FG320I
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XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
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10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation