casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / DFE252012P-2R2M=P2
Número da peça de fabricante | DFE252012P-2R2M=P2 |
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Número da peça futura | FT-DFE252012P-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DFE252012P |
DFE252012P-2R2M=P2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 84 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012P-2R2M=P2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DFE252012P-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ1N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5S02D
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LQG15WZ1N6C02D
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LQG15WZ1N6S02D
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LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
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LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel